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世界最薄的單分子電子器件問世

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摘要 : 6月初旬,廈門大學固體表面物理化學國家重點實驗室洪文晶教授研究團隊,與英國蘭卡斯特大學柯林·蘭伯特院士團隊合作,在室溫下制備出了迄今為止世界上最薄的、厚度約為頭發絲直徑1/60000的單分子電子器件。
6月初旬,廈門大學固體表面物理化學國家重點實驗室洪文晶教授研究團隊,與英國蘭卡斯特大學柯林·蘭伯特院士團隊合作,在室溫下制備出了迄今為止世界上最薄的、厚度約為頭發絲直徑1/60000的單分子電子器件。該研究成果在線發表于國際期刊《科學·進展》上。

電子元器件

半導體被譽為國家的“工業糧食”,其中硅基微電子器件占據了主導地位,但硅基器件小型化正逐步逼近其物理極限。采用有機分子來構筑新型分子電子器件,是突破半導體器件小型化的重要潛在技術方案之一,有機分子器件小型化的尺寸極限就成為了該領域的重要基礎科學問題。

廈門大學研究團隊通過精確調控兩片單層石墨烯電極間距,將單個平面有機分子連接在兩片單層石墨烯電極之間,構筑了導電通道長度僅為單原子層厚度的超薄單分子電子器件。此外,他們還發現,通過對分子微小結構的精細調節,可以顯著提升該電子器件的電子輸運能力。

“這一僅超薄分子電子器件,展示了納米尺度電子輸運的獨特量子隧穿特性,也充分體現了分子電子器件在未來半導體器件小型化領域的重要潛力。

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