MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）主要用于開關應用中，具有高電壓和高電流的特點。它們具有更高的效率和更優良的高速開關能力，因此成為電源設計中的最佳選擇。我們來看一些篩選標準，以便為電力電子解決方案選擇合適的MOSFET。

在電源電子電路設計中存在一些不穩定因素，而設計用來防止此類不穩定因素影響電路效果的回路稱作保護電路。比如有過流保護、過壓保護、過熱保護、空載保護、短路保護等。鋰電池保護電路由兩個場效應管和專用保護集成塊組成，過充電控制管FET2和過放電控制管FET1串聯于電路

什么是LDO？LDO即lowdropoutregulator，是一種低壓差線性穩壓器。這是相對于傳統的線性穩壓器來說的。傳統的線性穩壓器，如78XX系列的芯片都要求輸入電壓要比輸出電壓至少高出2V~3V，否則就不能正常工作。LDO是lowdropoutregulator，意為低壓差線性穩壓器，是相對于傳統的線性穩壓器來說的。

接地電流或靜態電流 （IGND 或 IQ）、電源波紋抑止比 （PSRR）、噪聲與封裝大小通常是為便攜式應用決定最佳LDO選擇的要素。在選擇低壓降線性調節器（LDO） 時，需要考慮的基本問題包括輸入電壓范圍、預期輸出電壓、負載電流范圍以及其封裝的功耗能力。

以碳化硅為代表的第三代寬帶隙半導體，能在更高的溫度、電壓和頻率環境下正常工作，同時耗電更少，耐久性和可靠性更強，將為下一代更小尺寸、更快速度、更低成本，更高效的電力電子產品。碳化硅電力電子器件技術的進步和產業化將在高壓電力系統中開辟新的應用領域