電源管理分立式半導體器件則包括一些傳統的功率半導體器件，可將它分為兩大類，一類包含整流器和晶閘管;另一類是三極管型，包含功率雙極性晶體管，含有MOS結構的功率場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等。

目前市面上已經存在多種ESD保護器件，但最常用的可分成三大類：聚合體、壓敏電阻/抑制器和二極管。選擇合適的ESD保護器件，最大的難點在于如何最容易地明確哪種器件可以提供最大的保護。

DC化之后，利用電容器讓波形平滑。但即使波形平滑仍會殘存紋波（Ripple：脈流），其振幅紋波電壓會因為電容器的容值和負載而出現變化。當電容器的容值和負載相同時，全波整流和半波整流相比，反而是全波整流的紋波電壓會變小。

ESD靜電保護元件的產品選型最終還是要根據各個客戶的具體需求選擇適合的ESD型號。立深鑫在為客戶選型和提供產品方案的時候，都會遵循以下兩個原則。

MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據口口相傳的經驗反復摸索，那么該如何量化評估呢？